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    全球晶片荒! 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級

    文/教育部電子報,圖/國立中山大學晶體研究中心 9732021-05-20

    全球遭遇嚴重晶片荒!汽車製造所需的第三代半導體材料「碳化矽」(SiC),因為製作難度高,導致供不應求。國立中山大學晶體研究中心正自主研發晶體....
    校園新聞主要圖片 全球晶片荒! 中山大學獨創長晶技術助攻產業升級
    國立中山大學晶體研究中心獨創第三代半導體材料「碳化矽」晶體生長設備與技術,科技部政務次長林敏聰(右一)月前也專程蒞校參訪。右二為晶體研究中心主任周明奇

    全球遭遇嚴重晶片荒!汽車製造所需的第三代半導體材料「碳化矽」(SiC),因為製作難度高,導致供不應求。國立中山大學晶體研究中心正自主研發晶體生長設備及相關技術,透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體,是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的研究中心,製程不假手他國,MIT高品質晶體,助攻臺灣半導體產業升級。

    「第三代半導體好比半導體產業鏈的金字塔頂端,是臺灣目前唯一缺乏的部分!」中山大學材料與光電科學學系講座教授兼晶體研究中心主任周明奇表示,臺灣半導體產業獨步全球,在晶圓代工領域居全球之冠,但在發展5G、電動車等新興科技,卻因缺乏第三代半導體材料「碳化矽」與「氮化鎵」晶體,而使相關產業發展受限。目前國內只有極少數公司投入生產碳化矽及氮化鎵晶體,主要是晶體生長的技術門檻太高,且需大量時間及經驗,因長晶設備及熱場非自行研發組裝,常導致生長晶體良率太低。





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