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    興大團隊開發新穎二維類腦神經突觸 研究成果榮登《自然通訊》期刊

    文/教育部電子報,圖/國立中興大學 9442020-10-22

    大數據時代來臨,需要更高速及高效的電腦運算,而人腦具有每秒數千萬次的並行數據處理能力,更成為電子元件開發的師法對象。國立中興大學物理系兼奈米所副教授林彥甫、博士後研究員李夢姣、學生楊豐碩與清華大學電機系教授連振炘所組團隊....
    中興大學理學院物理系兼奈米所林彥甫副教授(右)、李夢姣博士後研究員(左)、學生楊豐碩(中)共同開發新穎二維類腦神經突觸

    大數據時代來臨,需要更高速及高效的電腦運算,而人腦具有每秒數千萬次的並行數據處理能力,更成為電子元件開發的師法對象。國立中興大學物理系兼奈米所副教授林彥甫、博士後研究員李夢姣、學生楊豐碩與清華大學電機系教授連振炘所組團隊,運用二維層狀半導體材料中的天然氧化層傑出的短期與長期記憶能力,開發出「新穎二維類腦神經突觸」人工電子元件,這項研究成果也發表於今年6月的《自然通訊》(Nature Communications)。

    林彥甫表示,物聯網(IoT)和人工智慧(AI)的蓬勃發展,對積體電路的革新提出了微型化、智慧化和操作可控性的嚴格要求。近年新興的材料二維層狀半導體具有原子級厚度、大面積開發、優異的電荷傳性能等優勢,被認為是能取代「矽」的新世代材料,但多數二維層狀半導體材料對水、氧環境敏感,易氧化的特性將造成電子元件嚴重的性能衰退,影響其進一步開發。而研究團隊反其道而行,嘗試借助二維層狀材料的天然氧化層,利用其易氧化性,有效地操控其內部的電荷傳輸特性,發現天然氧化層的電荷儲存能力,實現新穎類腦神經功能。




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